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이온 마이그레이션 현상에 대하여 (Electro Chemical Migration)

작성자 관리자 날짜 2026-01-23 15:12:15
인쇄회로 기판 등에서 본래 양호한 도체 사이의 절연특성이 도체로부터 용출되는 금속 이온이 도체 사이에 석출됨으로써 절연이 저하되는 현상입니다. 상세보기
이온 마이그레이션 현상에 대하여

이온 마이그레이션 현상에 대하여

이온 마이그레이션(Electro Chemical Migration) 현상이란, 프린트 기판 등에서 본래 양호한 도체간의 절연 특성이, 도체로부터 용출되는 금속 이온이 도체간에 석출함으로써 절연이 저하되는 현상입니다. 이 전기화학적 작용은 온습도 분위기에서 도체 사이에 전압이 인가됨으로써 촉진됩니다. 절연물 중의 불순물 이온이 영향을 미치는 경우도 있습니다.

신뢰성 시험의 필요성

프린트 기판 등에서 마이그레이션이 발생하면, 최악의 경우는 회로 패턴의 쇼트를 일으킵니다. 그 결과, 부품의 손상(제품의 손상)이 되어 경우에 따라서는 막대한 손해·손실을 발생시키는 일도 있기 때문에, 신소재 및 신제품의 연구 단계에 있어서의 프린트 기판 등의 신뢰성 평가시험 중에서도 중요한 평가 항목으로 여겨지고 있습니다.

일반적인 샘플(빗모양 패턴)

열화시간(tr)과의 관계

  • ・ 전계의 영향 : tr =keE-n
  • ・ 온도의 영향 : tr = kT exp(⊿Q/kb T)
  • ・ 습도의 영향 : tr = khH-m

 

Ke, kT, kh, m, n = 상수
E = 전계(V/mm), T = 절대온도,
H = 절대습도(%)
⊿Q = 활성에너지, kb = 볼츠만 상수

절연성 양호(초기)

전계+온도+습도+시간

이윽고 절연열화가 발생

최근의 업계 동향과 마이그레이션 현상의 관계

실장 기술의 고밀도화
  • ◆ 회로 패턴의 미세화
  • ◆ 실장 기술의 개혁 ⇒ IVH (BVH) · 부품내장 기판 · 고밀도 반도체 패키징(TSOP, QFP, BGA, CSP, SiP, 등)
IVH(BVH) : 층간 접속 홀
부품내장기판(LSI, 수동부품)
고밀도 반도체 패키징

적층

수평배치

*고밀도화는 배선패턴이나 전극간이 접근하여 전계강도가 증가하게 되므로 마이그레이션 현상이 발생하기 쉽다. (100V/1mm=5V/50um)
*환경 문제 대책·성능 개선·비용 경쟁 때문에 신소재의 채용이나 제조 공정의 재검토가 진행된다.

  • ◆ RoHS/WEEE에 대한 대응 ⇒ 소재나 약품류의 변경
  • ◆ 소형, 경량, 고기능, 에너지 절약, 저비용 ⇒ 신실장기술·신제조기술
  • ◆ 시제품의 신뢰성 평가
  • ◆ 제조 로트별 품질 및 신뢰성 보증

주요 평가사례

  • ◆ 2층/3층 CCL COF 언더필 재료
  • ◆ 반도체 패키지용 기판
  • ◆ 솔더 레지스트 재료
  • ◆ 도전성 페이스트/잉크/접착제
  • ◆ 투명 전극
  • ◆ 할로겐 프리 기판 FR-4
  • ◆ 무연납 관련 납땜 도금 플럭스